Etch Profile이란? Taper·Bowing·Undercut

Profile은 구조의 단면 형상을 뜻하며 폭 하나로 설명할 수 없습니다. Sidewall의 Taper·Bowing·Undercut은 입자 수송·표면 반응·마스크 등 여러 요인과 연결됩니다.

기초 · 직무 연결 · 업데이트 2026-10-06

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쉬운 설명: 입구가 같아도 내부는 다르다

같은 입구 폭의 컵도 아래가 좁거나 중간이 불룩할 수 있습니다. 반도체의 홀과 선도 Top CD만 같다고 같은 구조가 아닙니다. Profile은 깊이·측벽·바닥까지 포함한 단면 형상입니다. 후속 증착과 연결에 필요한 공간이 실제로 확보됐는지 확인합니다.

핵심 원리: 측벽과 제거 반응

Taper는 깊이에 따라 폭이 점진적으로 달라지는 형상입니다. Bowing은 측벽 일부가 벌어지는 모양, Undercut은 보호 패턴 아래로 측방 제거가 진행된 모양으로 설명할 수 있습니다. 각 용어는 관찰한 결과를 이름 붙이는 것이며 하나의 고정 원인을 뜻하지 않습니다.

Etch Profile을 바꾸는 요인

이온의 방향·에너지, Radical 공급, 표면 보호 반응과 부산물 배출이 구조와 함께 작용합니다. 마스크 모양·소모, 깊은 패턴의 수송, Charging과 웨이퍼 온도도 후보입니다. 구조와 재료가 다르면 같은 변수 변화가 같은 효과를 내지 않을 수 있습니다.

왜 중요한가: 다음 공정과 소자 연결

좁아진 바닥이나 돌출된 측벽은 채움·피복과 Contact 형성에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 식각 속도만 최적화해서는 부족합니다. 목표 깊이·치수·선택비·잔류물·손상과 Profile을 함께 평가합니다.

현업 연결: 단면을 믿기 위한 조건

FIB로 원하는 위치의 단면이나 TEM 시료를 만들 수 있습니다. 절단 위치·가공 손상·재증착 등 시료 준비의 영향도 고려해야 합니다. 정상/불량의 같은 위치와 공정 이력, 여러 Wafer의 결과를 비교한 뒤 DOE로 가설을 검증합니다.

자주 하는 오해

수직 측벽이 모든 공정에서 유일한 정답은 아닙니다. 제품과 후속 공정의 목표가 기준입니다. 형상만 보고 특정 RF·Gas·Pressure가 원인이라고 단정하거나, 일반적인 교육 설명을 실제 Recipe 지시로 사용하지 않습니다.

공개 참고 자료

개념 확인: 2026-10-06. 공개 자료로 원리를 확인하고 학생용 설명·가상 예·연습문제는 FlashMemory가 작성했습니다. 회사 내부 Recipe나 Spec을 사용하지 않습니다.

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